Laserrensing for halvlederindustrien

Ettersom halvlederteknologien fortsetter å krympe, har avanserte integrerte kretsenheter transformert fra plane til tredimensjonale strukturer. Produksjonsprosessen for integrerte kretser blir mer og mer kompleks, og krever ofte hundrevis eller til og med tusenvis av prosesstrinn. For avansert produksjon av halvlederenheter vil det etter hver prosess være mer eller mindre partikkelformige forurensninger, metallrester eller organiske rester på overflaten av silisiumplaten. Den kontinuerlige krympingen av enhetens funksjonsstørrelser og den økende kompleksiteten til tredimensjonale enhetsstrukturer har gjort halvledere Enheter er stadig mer følsomme for partikkelforurensning, urenhetskonsentrasjon og mengde.

Det er stilt høyere krav til renseteknologien for forurensede partikler på maskeoverflaten til silisiumskiver. Nøkkelpunktet er å overvinne den enorme adsorpsjonskraften mellom de forurensede partiklene og underlaget. For tiden bruker mange halvlederprodusenter syrerengjøringsmetoder. Vask og manuell tørking er ikke bare ineffektivt, men gir også sekundær forurensning. Så hva slags rengjøringsmetode er for øyeblikket mer egnet for rengjøring av halvlederprodukter? Laserrens er i dag en mer egnet metode. Når laseren skanner over, vil alt smuss på overflaten av materialet bli fjernet, og skitten i hullene vil bli fjernet. Det kan enkelt fjernes, vil ikke ripe opp materialoverflaten og vil ikke forårsake sekundær forurensning. Det er et trygt valg.

I tillegg, ettersom størrelsen på integrerte kretsenheter fortsetter å krympe, har materialtap og overflateruhet under rengjøringsprosessen blitt problemer som må tas hensyn til. Fjerning av partikler uten materialtap og mønsterskader er det mest grunnleggende kravet. Laserrenseteknologi har unik kontakt, ingen termisk effekt, ingen overflateskade på objektet som skal rengjøres, og ingen sekundær forurensning, som er uforlignelige fordeler med tradisjonelle rengjøringsmetoder. Det er den beste rengjøringsmetoden for å løse forurensning av halvlederenheter.